论坛嘉宾

赵宁

自2011年加入天科公司至今一直从事第三代半导体碳化硅单晶材料研究及产业化工作。

荣获北京市科技新星（2021年），北京市大兴区优秀青年(2020)，北京市大兴区优秀科技工作者(2020)。

近5年来，作为负责人分别主持了国家科技部重点研发计划课题“大尺寸导电SiC衬底制备产业化技术”、北京市科委“8英寸碳化硅单晶衬底制备技术研究”等项目，申请国内发明专利29项，国际发明专利7项；其中国内发明专利17项，国际发明专利1项已获授权，发表SCI学术论文1篇，参与3项标准起草工作并已发布。

演讲题目：

高质量碳化硅衬底和外延材料的制备

演讲内容概要：

碳化硅（SiC）功率器件以其出色的性能表现，在新能源汽车领域的应用已成为普遍趋势。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有越来越多的新能源厂商开始在电驱中使用SiC器件。目前全球新能源汽车头部厂商，包括国内的比亚迪、蔚来、小鹏等厂家的众多车型都已开始采用SiC功率器件。未来SiC器件在储能等领域还将有更广阔的的应用空间。

SiC衬底的主要制备流程包括：单晶生长——晶体加工——晶片加工——晶片清洗、检测——封装等。重投天科通过北京天科合达半导体股份有限公司总部的技术成果转化和持续研发，掌握了SiC单晶生长炉热场设计技术，SiC单晶相变、微管等缺陷控制技术，SiC单晶电阻率控制技术、SiC单晶退火工艺技术、SiC晶片平整度和翘曲度的控制技术、无损伤层的SiC晶片表面加工技术和高质量SiC晶片表面清洗技术等一些列关键核心技术，制备的6英寸SiC衬底质量和成品率达到国际先进水平。

SiC外延片主要制备流程包括：外延生长——分析表征——清洗检测——封装等流程。其中外延生长过程是外延流程的重要环节。重投天科通过技术攻关，解决了碳化硅外延生长过程中掉落物、浓厚度不均等问题，提高了衬底到外延层的位错转化率，获得了高质量碳化硅同质外延薄膜的批量制备技术。

深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）成立于2020年12月15日，注册地址为深圳市宝安区石岩街道，是一家专业从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及碳化硅外延片材料研发、生产和销售的高新技术企业。重投天科的成立是深圳市政府党组（扩大）会议审定通过的项目建设方案，是由深圳市重大产业投资集团有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市和合创芯微半导体合伙企业（有限合伙）以及产业资本出资构成的项目实施主体。2022年，公司成功引入战略投资者宁德时代新能源科技股份有限公司与深圳市合和芯源半导体合伙企业（有限合伙），资本实力进一步雄厚，注册资本增加至22亿元。